11 - 20 из 43Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 1994

  2. Spin‐polarised tunnelling current in metal–insulator–gapless semiconductor structures in a magnetic field

    Germanenko, A. V., Kruzhaev, V. V., Minkov, G. M., Rumyantsev, E. L. & Rut, O. E., 1 янв. 1994, в: Advanced Functional Materials. 3, 1-6, стр. 127-130 4 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  3. 1993

  4. Spin-dependent tunnelling in metal-insulator-gapless semiconductor structures in a magnetic field

    Germanenko, A. V., Kruzhaev, V. V., Minkov, G. M., Rumyantsev, E. L. & Rut, O. E., мар. 1993, в: Semiconductor Science and Technology. 8, 3, стр. 383-387 5 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  5. 1988

  6. PROBLEM OF GALVANOMAGNETIC EFFECTS IN LIGHTLY DOPED P-TYPE ZERO-GAP SEMICONDUCTOR HG1-XCDXTE

    Germanenko, A. V., Kruzhaev, V. V., Minkov, G. M. & Rut, O. E., июн. 1988, в: Soviet physics. Semiconductors. 22, 6, стр. 626-629 4 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  7. 1987

  8. CLASSICAL LOW-TEMPERATURE BEHAVIOR OF TRANSPORT-COEFFICIENTS OF PARA-TYPE HG0.8CD0.2TE

    Elizarov, A. I., Kruzhaev, V. V., Minkov, G. M., Nikitin, M. S. & Rut, O. E., мар. 1987, в: Soviet physics. Semiconductors. 21, 3, стр. 292-294 3 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  9. 1986

  10. INFLUENCE OF THE EXCHANGE INTERACTION ON GALVANOMAGNETIC EFFECTS IN HEAVILY DOPED P-TYPE HG1-XMNX TE WITH EPSILON-G GREATER-THAN 0

    Germanenko, A. V., Kruzhaev, V. V., Minkov, G. M. & Rut, O. E., сент. 1986, в: Soviet physics. Semiconductors. 20, 9, стр. 1041-1044 4 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  11. INFLUENCE OF QUANTIZATION OF THE VALENCE BAND SPECTRUM ON THE MAGNETORESISTANCE OF P-TYPE HG1-XMNXTE AT LOW-TEMPERATURES

    Germanenko, A. V., Kruzhaev, V. V., Minkov, G. M. & Rut, O. E., июл. 1986, в: Soviet physics. Semiconductors. 20, 7, стр. 838-839 2 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Комментарий/Дебаты › Рецензирование

  12. CHARACTERISTICS OF GALVANOMAGNETIC EFFECTS AND FREEZEOUT AT ACCEPTORS IN ZERO-GAP P-TYPE Hg//1// minus //xMn//xTe SUBJECTED TO A MAGNETIC FIELD AT LOW TEMPERATURES

    Germanenko, A. V., Zverev, L. P., Kruzhaev, V. V., Min'kov, G. M. & Rut, O. E., 1 янв. 1986, в: Soviet physics. Semiconductors. 20, 1, стр. 46-52 7 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  13. CHARACTERISTICS OF GALVANOMAGNETIC EFFECTS AND FREEZEOUT AT ACCEPTORS IN ZERO-GAP P-TYPE HG1-XMNXTE SUBJECTED TO A MAGNETIC-FIELD AT LOW-TEMPERATURES

    Germanenko, A. V., Zverev, L. P., Kruzhaev, V. V., Minkov, G. M. & Rut, O. E., янв. 1986, в: Soviet physics. Semiconductors. 20, 1, стр. 46-52 7 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  14. NEGATIVE MAGNETORESISTANCE OF HEAVILY DOPED COMPENSATED P-TYPE HG1-XMNXTE

    Germanenko, A. V., Kruzhaev, V. V. & Minkov, G. M., янв. 1986, в: Soviet physics. Semiconductors. 20, 1, стр. 85-86 2 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Комментарий/Дебаты › Рецензирование

  15. 1985

  16. COUPLED MAGNETIC POLARON IN GAPLESS P-HG1-XMNXTE

    Germanenko, A. V., Zverev, L. P., Kruzhaev, V. V., Minkov, G. M. & Rut, O. E., 1985, в: Физика твердого тела. 27, 6, стр. 1857-1863 7 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 4 5 Далее

ID: 56894