Поиск
Главная
Награды
Проекты
Сотрудники
Подразделения
Деятельность
Публикации
Пресса/СМИ
О портале
INFLUENCE OF THE EXCHANGE INTERACTION ON GALVANOMAGNETIC EFFECTS IN HEAVILY DOPED P-TYPE HG1-XMNX TE WITH EPSILON-G GREATER-THAN 0
Результаты исследований
:
Вклад в журнал
›
Статья
›
Рецензирование
Отдел оптоэлектроники и полупроводниковой техники
Институт естественных наук и математики
Обзор
Цитировать
A. V. Germanenko
V. V. Kruzhaev
G. M. Minkov
O. E. Rut
Язык оригинала
Английский
Страницы (с-по)
1041-1044
Число страниц
4
Журнал
Soviet physics. Semiconductors
Том
20
Номер выпуска
9
Состояние
Опубликовано -
сент. 1986
Предметные области WoS
Физика, Конденсированных сред
ID: 7214181