41 - 43 из 43Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 1976

  2. SWITCHING TIME IN LOW-TEMPERATURE IMPURITY BREAKDOWN IN n-TYPE GaAs

    Zverev, L. P., Min'kov, G. M., Negashev, S. A. & Kruzhaev, V. V., 1 янв. 1976, в: Semiconductors. 10, 6, стр. 716-717 2 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  3. 1975

  4. OPTICAL HEATING OF ELECTRONS IN GaAs

    Zverev, L. P., Min'kov, G. M., Kruzhaev, V. V. & Negashev, S. A., 1 янв. 1975, в: Semiconductors. 9, 11, стр. 1420-1421 2 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  5. 1974

  6. MECHANISM OF RADIATIVE RECOMBINATION IN STRONGLY DOPED P-GAAS

    Zverev, L. P., Kruzhaev, V. V. & Negashev, S. A., 1974, в: JETP Letters. 20, 1, стр. 22-24 3 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 4 5 Далее

ID: 56894