PROBLEM OF GALVANOMAGNETIC EFFECTS IN LIGHTLY DOPED P-TYPE ZERO-GAP SEMICONDUCTOR HG1-XCDXTE

Язык оригинала	Английский
Страницы (с-по)	626-629
Число страниц	4
Журнал	Soviet physics. Semiconductors
Том	22
Номер выпуска	6
Состояние	Опубликовано - июн. 1988

ID: 7213966