Ultrasonic investigation of the Jahn-Teller effect in GaAs semiconductors doped by transition metals › Обзор исследований

DOI

https://doi.org/10.1063/1.4895475
Конечная издательская версия

N. S. Averkiev
I. B. Bersuker
V. V. Gudkov
K. A. Baryshnikov
I. V. Zhevstovskikh
V. Yu. Mayakin
A. M. Monakhov
M. N. Sarychev
V. E. Sedov
V. T. Surikov

Язык оригинала	Английский
Номер статьи	103708
Число страниц	7
Журнал	Journal of Applied Physics
Том	116
Номер выпуска	10
DOI	https://doi.org/10.1063/1.4895475
Состояние	Опубликовано - 14 сент. 2014

Предметные области ASJC Scopus

Physics and Astronomy(all)

ID: 360842