MECHANISM OF BAND GAP VARIATION IN HEAVILY DOPED GALLIUM ARSENIDE. › Обзор исследований

Язык оригинала	Английский
Страницы (с-по)	603-605
Число страниц	3
Журнал	Semiconductors
Том	11
Номер выпуска	6
Состояние	Опубликовано - 1 янв. 1977

Предметные области ASJC Scopus

Engineering(all)

Предметные области WoS

Физика, Конденсированных сред

ID: 7211541