Поиск
Главная
Награды
Проекты
Сотрудники
Подразделения
Деятельность
Публикации
Пресса/СМИ
О портале
MECHANISM OF RADIATIVE RECOMBINATION IN STRONGLY DOPED P-GAAS
Результаты исследований
:
Вклад в журнал
›
Статья
›
Рецензирование
Отдел оптоэлектроники и полупроводниковой техники
Институт естественных наук и математики
Обзор
Цитировать
L. P. Zverev
V. V. Kruzhaev
S. A. Negashev
Язык оригинала
Английский
Страницы (с-по)
22-24
Число страниц
3
Журнал
JETP Letters
Том
20
Номер выпуска
1
Состояние
Опубликовано -
1974
Предметные области WoS
Физика, Многопрофильные области
ID: 7216114