PHOTOLUMINESCENCE EMITTED FROM p-TYPE GaAs DIFFUSION-DOPED WITH ZINC AND SUBJECTED TO A MAGNETIC FIELD. › Обзор исследований

Язык оригинала	Английский
Страницы (с-по)	609-612
Число страниц	4
Журнал	Semiconductors
Том	10
Номер выпуска	6
Состояние	Опубликовано - 1 янв. 1976

Предметные области WoS

Физика, Конденсированных сред

Предметные области ASJC Scopus

Engineering(all)

ID: 7211975