Dislocation structure and mobility in the layered semiconductor InSe: a first-principles study › Обзор исследований

DOI

https://doi.org/10.1088/2053-1583/ac207b
Конечная издательская версия

Язык оригинала	Английский
Номер статьи	045028
Число страниц	7
Журнал	2d materials
Том	8
Номер выпуска	4
DOI	https://doi.org/10.1088/2053-1583/ac207b
Состояние	Опубликовано - окт. 2021

Предметные области ASJC Scopus

Condensed Matter Physics
Mechanics of Materials
Mechanical Engineering
Chemistry(all)
Materials Science(all)

Предметные области WoS

Материаловедение, Междисциплинарные труды

ID: 23688979