Conductance of a lateral p—n junction in two-dimensional HgTe structures with an inverted spectrum: The role of edge states › Обзор исследований

DOI

https://doi.org/10.1134/S0021364015070115
Конечная издательская версия

Язык оригинала	Английский
Страницы (с-по)	469-473
Число страниц	5
Журнал	JETP Letters
Том	101
Номер выпуска	7
DOI	https://doi.org/10.1134/S0021364015070115
Состояние	Опубликовано - апр. 2015

Предметные области ASJC Scopus

Physics and Astronomy (miscellaneous)

Уровень публикации

Перечень ВАК

ГРНТИ

29.00.00 ФИЗИКА

ID: 330098