Standard

ВЛИЯНИЕ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ПАРАМЕТРЫ МАССИВОВ ZN НАНОТРУБОК ДЛЯ СОЗДАНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ ГИБКОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ. / Kadyrzhanov, D. B.; Zdorovets, M.; Kozlovskiy, A. L. и др.
в: Devices and methods of measurements, Том 9, № 1, 2018, стр. 66-73.

Результаты исследований: Вклад в журналСтатьяРецензирование

Harvard

APA

Vancouver

Kadyrzhanov DB, Zdorovets M, Kozlovskiy AL, Petrov A, Bundyukova VD, Shumskaya AE и др. ВЛИЯНИЕ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ПАРАМЕТРЫ МАССИВОВ ZN НАНОТРУБОК ДЛЯ СОЗДАНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ ГИБКОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ. Devices and methods of measurements. 2018;9(1):66-73. doi: 10.21122/2220-9506-2018-9-1-66-73

Author

BibTeX

@article{62b930a5e8204cfe9024f437fb0c4633,
title = "ВЛИЯНИЕ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ПАРАМЕТРЫ МАССИВОВ ZN НАНОТРУБОК ДЛЯ СОЗДАНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ ГИБКОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ",
abstract = "Целью работы являлось изучение возможности применения массивов Zn нанотрубок в качестве основы для создания малогабаритных и легковесных элементов гибкой электроники, в том числе в условиях воздействия ионизирующего излучения.В работе представлены результаты синтеза Zn нанотрубок, полученных путем электрохимического осаждения в поры полимерных матриц, и изучение их структурных и электрофизических свойств после направленной модификации ионизирующим излучением с различной дозой. Методами растровой электронной микроскопии, рентгеноструктурного и энергодисперсионного анализа изучена структура нанотрубок, имеющих поликристаллическую структуру и полностью состоящих из цинка, и продемонстрировано, что облучение ионами Ar8+ с дозой от 1 × 109 до 5 × 1011 ион/см2 и энергией 1,75 МэВ/нуклон оказывает влияние на кристаллическую структуру нанотрубок.При больших дозах в Zn нанотрубок возникают локализованные высокодефектные зоны, приводящие к критическому изменению структуры и, соответственно, электропроводимости: при малых дозах электропроводимость увеличивается, однако при достижении порогового значения – резко снижается. Таким образом, был устанавлен механизм воздействия ионизирующего облучения на наноматериалы и определена возможность применения массивов Zn нанотрубок в качестве основы для создания малогабаритных и легковесных элементов гибкой электроники.",
keywords = "radiation material science, nanotechnology, crystal structure, conducting properties, flexible electronics, ION-IMPLANTATION, CU NANOWIRES",
author = "Kadyrzhanov, {D. B.} and M. Zdorovets and Kozlovskiy, {A. L.} and A. Petrov and Bundyukova, {V. D.} and Shumskaya, {A. E.} and Kaniukov, {E. Yu}",
year = "2018",
doi = "10.21122/2220-9506-2018-9-1-66-73",
language = "Русский",
volume = "9",
pages = "66--73",
journal = "Devices and methods of measurements",
issn = "2220-9506",
publisher = "Белорусский национальный технический университет",
number = "1",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - ВЛИЯНИЕ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ПАРАМЕТРЫ МАССИВОВ ZN НАНОТРУБОК ДЛЯ СОЗДАНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ ГИБКОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ

AU - Kadyrzhanov, D. B.

AU - Zdorovets, M.

AU - Kozlovskiy, A. L.

AU - Petrov, A.

AU - Bundyukova, V. D.

AU - Shumskaya, A. E.

AU - Kaniukov, E. Yu

PY - 2018

Y1 - 2018

N2 - Целью работы являлось изучение возможности применения массивов Zn нанотрубок в качестве основы для создания малогабаритных и легковесных элементов гибкой электроники, в том числе в условиях воздействия ионизирующего излучения.В работе представлены результаты синтеза Zn нанотрубок, полученных путем электрохимического осаждения в поры полимерных матриц, и изучение их структурных и электрофизических свойств после направленной модификации ионизирующим излучением с различной дозой. Методами растровой электронной микроскопии, рентгеноструктурного и энергодисперсионного анализа изучена структура нанотрубок, имеющих поликристаллическую структуру и полностью состоящих из цинка, и продемонстрировано, что облучение ионами Ar8+ с дозой от 1 × 109 до 5 × 1011 ион/см2 и энергией 1,75 МэВ/нуклон оказывает влияние на кристаллическую структуру нанотрубок.При больших дозах в Zn нанотрубок возникают локализованные высокодефектные зоны, приводящие к критическому изменению структуры и, соответственно, электропроводимости: при малых дозах электропроводимость увеличивается, однако при достижении порогового значения – резко снижается. Таким образом, был устанавлен механизм воздействия ионизирующего облучения на наноматериалы и определена возможность применения массивов Zn нанотрубок в качестве основы для создания малогабаритных и легковесных элементов гибкой электроники.

AB - Целью работы являлось изучение возможности применения массивов Zn нанотрубок в качестве основы для создания малогабаритных и легковесных элементов гибкой электроники, в том числе в условиях воздействия ионизирующего излучения.В работе представлены результаты синтеза Zn нанотрубок, полученных путем электрохимического осаждения в поры полимерных матриц, и изучение их структурных и электрофизических свойств после направленной модификации ионизирующим излучением с различной дозой. Методами растровой электронной микроскопии, рентгеноструктурного и энергодисперсионного анализа изучена структура нанотрубок, имеющих поликристаллическую структуру и полностью состоящих из цинка, и продемонстрировано, что облучение ионами Ar8+ с дозой от 1 × 109 до 5 × 1011 ион/см2 и энергией 1,75 МэВ/нуклон оказывает влияние на кристаллическую структуру нанотрубок.При больших дозах в Zn нанотрубок возникают локализованные высокодефектные зоны, приводящие к критическому изменению структуры и, соответственно, электропроводимости: при малых дозах электропроводимость увеличивается, однако при достижении порогового значения – резко снижается. Таким образом, был устанавлен механизм воздействия ионизирующего облучения на наноматериалы и определена возможность применения массивов Zn нанотрубок в качестве основы для создания малогабаритных и легковесных элементов гибкой электроники.

KW - radiation material science

KW - nanotechnology

KW - crystal structure

KW - conducting properties

KW - flexible electronics

KW - ION-IMPLANTATION

KW - CU NANOWIRES

UR - https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=tsmetrics&SrcApp=tsm_test&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&KeyUT=000432691600007

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=32816815

U2 - 10.21122/2220-9506-2018-9-1-66-73

DO - 10.21122/2220-9506-2018-9-1-66-73

M3 - Статья

VL - 9

SP - 66

EP - 73

JO - Devices and methods of measurements

JF - Devices and methods of measurements

SN - 2220-9506

IS - 1

ER -

ID: 7282505