Standard

ВЛИЯНИЕ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ПАРАМЕТРЫ МАССИВОВ ZN НАНОТРУБОК ДЛЯ СОЗДАНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ ГИБКОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ. / Kadyrzhanov, D. B.; Zdorovets, M.; Kozlovskiy, A. L. et al.
In: Devices and methods of measurements, Vol. 9, No. 1, 2018, p. 66-73.

Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

Harvard

APA

Vancouver

Kadyrzhanov DB, Zdorovets M, Kozlovskiy AL, Petrov A, Bundyukova VD, Shumskaya AE et al. ВЛИЯНИЕ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ПАРАМЕТРЫ МАССИВОВ ZN НАНОТРУБОК ДЛЯ СОЗДАНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ ГИБКОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ. Devices and methods of measurements. 2018;9(1):66-73. doi: 10.21122/2220-9506-2018-9-1-66-73

Author

BibTeX

@article{62b930a5e8204cfe9024f437fb0c4633,
title = "ВЛИЯНИЕ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ПАРАМЕТРЫ МАССИВОВ ZN НАНОТРУБОК ДЛЯ СОЗДАНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ ГИБКОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ",
abstract = "Целью работы являлось изучение возможности применения массивов Zn нанотрубок в качестве основы для создания малогабаритных и легковесных элементов гибкой электроники, в том числе в условиях воздействия ионизирующего излучения.В работе представлены результаты синтеза Zn нанотрубок, полученных путем электрохимического осаждения в поры полимерных матриц, и изучение их структурных и электрофизических свойств после направленной модификации ионизирующим излучением с различной дозой. Методами растровой электронной микроскопии, рентгеноструктурного и энергодисперсионного анализа изучена структура нанотрубок, имеющих поликристаллическую структуру и полностью состоящих из цинка, и продемонстрировано, что облучение ионами Ar8+ с дозой от 1 × 109 до 5 × 1011 ион/см2 и энергией 1,75 МэВ/нуклон оказывает влияние на кристаллическую структуру нанотрубок.При больших дозах в Zn нанотрубок возникают локализованные высокодефектные зоны, приводящие к критическому изменению структуры и, соответственно, электропроводимости: при малых дозах электропроводимость увеличивается, однако при достижении порогового значения – резко снижается. Таким образом, был устанавлен механизм воздействия ионизирующего облучения на наноматериалы и определена возможность применения массивов Zn нанотрубок в качестве основы для создания малогабаритных и легковесных элементов гибкой электроники.",
keywords = "radiation material science, nanotechnology, crystal structure, conducting properties, flexible electronics, ION-IMPLANTATION, CU NANOWIRES",
author = "Kadyrzhanov, {D. B.} and M. Zdorovets and Kozlovskiy, {A. L.} and A. Petrov and Bundyukova, {V. D.} and Shumskaya, {A. E.} and Kaniukov, {E. Yu}",
year = "2018",
doi = "10.21122/2220-9506-2018-9-1-66-73",
language = "Русский",
volume = "9",
pages = "66--73",
journal = "Devices and methods of measurements",
issn = "2220-9506",
publisher = "Белорусский национальный технический университет",
number = "1",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - ВЛИЯНИЕ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ПАРАМЕТРЫ МАССИВОВ ZN НАНОТРУБОК ДЛЯ СОЗДАНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ ГИБКОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ

AU - Kadyrzhanov, D. B.

AU - Zdorovets, M.

AU - Kozlovskiy, A. L.

AU - Petrov, A.

AU - Bundyukova, V. D.

AU - Shumskaya, A. E.

AU - Kaniukov, E. Yu

PY - 2018

Y1 - 2018

N2 - Целью работы являлось изучение возможности применения массивов Zn нанотрубок в качестве основы для создания малогабаритных и легковесных элементов гибкой электроники, в том числе в условиях воздействия ионизирующего излучения.В работе представлены результаты синтеза Zn нанотрубок, полученных путем электрохимического осаждения в поры полимерных матриц, и изучение их структурных и электрофизических свойств после направленной модификации ионизирующим излучением с различной дозой. Методами растровой электронной микроскопии, рентгеноструктурного и энергодисперсионного анализа изучена структура нанотрубок, имеющих поликристаллическую структуру и полностью состоящих из цинка, и продемонстрировано, что облучение ионами Ar8+ с дозой от 1 × 109 до 5 × 1011 ион/см2 и энергией 1,75 МэВ/нуклон оказывает влияние на кристаллическую структуру нанотрубок.При больших дозах в Zn нанотрубок возникают локализованные высокодефектные зоны, приводящие к критическому изменению структуры и, соответственно, электропроводимости: при малых дозах электропроводимость увеличивается, однако при достижении порогового значения – резко снижается. Таким образом, был устанавлен механизм воздействия ионизирующего облучения на наноматериалы и определена возможность применения массивов Zn нанотрубок в качестве основы для создания малогабаритных и легковесных элементов гибкой электроники.

AB - Целью работы являлось изучение возможности применения массивов Zn нанотрубок в качестве основы для создания малогабаритных и легковесных элементов гибкой электроники, в том числе в условиях воздействия ионизирующего излучения.В работе представлены результаты синтеза Zn нанотрубок, полученных путем электрохимического осаждения в поры полимерных матриц, и изучение их структурных и электрофизических свойств после направленной модификации ионизирующим излучением с различной дозой. Методами растровой электронной микроскопии, рентгеноструктурного и энергодисперсионного анализа изучена структура нанотрубок, имеющих поликристаллическую структуру и полностью состоящих из цинка, и продемонстрировано, что облучение ионами Ar8+ с дозой от 1 × 109 до 5 × 1011 ион/см2 и энергией 1,75 МэВ/нуклон оказывает влияние на кристаллическую структуру нанотрубок.При больших дозах в Zn нанотрубок возникают локализованные высокодефектные зоны, приводящие к критическому изменению структуры и, соответственно, электропроводимости: при малых дозах электропроводимость увеличивается, однако при достижении порогового значения – резко снижается. Таким образом, был устанавлен механизм воздействия ионизирующего облучения на наноматериалы и определена возможность применения массивов Zn нанотрубок в качестве основы для создания малогабаритных и легковесных элементов гибкой электроники.

KW - radiation material science

KW - nanotechnology

KW - crystal structure

KW - conducting properties

KW - flexible electronics

KW - ION-IMPLANTATION

KW - CU NANOWIRES

UR - https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=tsmetrics&SrcApp=tsm_test&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&KeyUT=000432691600007

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=32816815

U2 - 10.21122/2220-9506-2018-9-1-66-73

DO - 10.21122/2220-9506-2018-9-1-66-73

M3 - Статья

VL - 9

SP - 66

EP - 73

JO - Devices and methods of measurements

JF - Devices and methods of measurements

SN - 2220-9506

IS - 1

ER -

ID: 7282505