Standard

ВЛИЯНИЕ СТРУКТУРНО-МОРФОЛОГИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК НА СЕНСОРНЫЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК CDXPB1-XS. / Маскаева, Лариса Николаевна; Ваганова, Ирина Владимировна; Марков, Вячеслав Филиппович и др.
в: Физика и техника полупроводников, Том 55, № 12, 2021, стр. 1186-1194.

Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

Harvard

Маскаева, ЛН, Ваганова, ИВ, Марков, ВФ, Бездетнова, АЕ, Селянина, АД, Воронин, ВИ & Селянин, ИО 2021, 'ВЛИЯНИЕ СТРУКТУРНО-МОРФОЛОГИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК НА СЕНСОРНЫЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК CDXPB1-XS', Физика и техника полупроводников, Том. 55, № 12, стр. 1186-1194. https://doi.org/10.21883/FTP.2021.12.51704.9726

APA

Маскаева, Л. Н., Ваганова, И. В., Марков, В. Ф., Бездетнова, А. Е., Селянина, А. Д., Воронин, В. И., & Селянин, И. О. (2021). ВЛИЯНИЕ СТРУКТУРНО-МОРФОЛОГИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК НА СЕНСОРНЫЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК CDXPB1-XS. Физика и техника полупроводников, 55(12), 1186-1194. https://doi.org/10.21883/FTP.2021.12.51704.9726

Vancouver

Маскаева ЛН, Ваганова ИВ, Марков ВФ, Бездетнова АЕ, Селянина АД, Воронин ВИ и др. ВЛИЯНИЕ СТРУКТУРНО-МОРФОЛОГИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК НА СЕНСОРНЫЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК CDXPB1-XS. Физика и техника полупроводников. 2021;55(12):1186-1194. doi: 10.21883/FTP.2021.12.51704.9726

Author

Маскаева, Лариса Николаевна ; Ваганова, Ирина Владимировна ; Марков, Вячеслав Филиппович и др. / ВЛИЯНИЕ СТРУКТУРНО-МОРФОЛОГИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК НА СЕНСОРНЫЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК CDXPB1-XS. в: Физика и техника полупроводников. 2021 ; Том 55, № 12. стр. 1186-1194.

BibTeX

@article{f5528f4d36bb458f805e38462a827928,
title = "ВЛИЯНИЕ СТРУКТУРНО-МОРФОЛОГИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК НА СЕНСОРНЫЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК CDXPB1-XS",
abstract = "Химическим осаждением на ситалловую подложку при варьировании в реакционной смеси концентрации соли ацетата кадмия Cd(CH3COO)2 в пределах 0.01-0.10 моль/л получены поликристаллические пленки пересыщенных твердых растворов замещения CdxPb1-xS (0.021≤ x≤0.090) с кубической структурой B1 (пр. гр. Fm3m) толщиной от ~0.4 до ~1.0 мкм. Установлена корреляция между структурно-морфологическими и функциональными свойствами тонкопленочных слоев CdxPb1-xS. Экстремальный характер зависимости вольтовой чувствительности от концентрации соли кадмия в реакционной ванне связан с немонотонным вхождением кадмия в кристаллическую решетку PbS. Показано, что максимальным фототоком обладают тонкопленочные слои CdxPb1-xS, сформированные из кристаллитов, имеющих выраженную кристаллографическую огранку. Обнаружена поверхностная чувствительность пленок CdxPb1-xS к присутствию ~0.02 мг/м3 NO2 в воздушной среде, что значительно ниже принятых предельно допустимых концентраций.",
author = "Маскаева, {Лариса Николаевна} and Ваганова, {Ирина Владимировна} and Марков, {Вячеслав Филиппович} and Бездетнова, {Алена Евгеньевна} and Селянина, {Анастасия Дмитриевна} and Воронин, {В. И.} and Селянин, {Игорь Олегович}",
year = "2021",
doi = "10.21883/FTP.2021.12.51704.9726",
language = "Русский",
volume = "55",
pages = "1186--1194",
journal = "Физика и техника полупроводников",
issn = "0015-3222",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",
number = "12",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - ВЛИЯНИЕ СТРУКТУРНО-МОРФОЛОГИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК НА СЕНСОРНЫЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК CDXPB1-XS

AU - Маскаева, Лариса Николаевна

AU - Ваганова, Ирина Владимировна

AU - Марков, Вячеслав Филиппович

AU - Бездетнова, Алена Евгеньевна

AU - Селянина, Анастасия Дмитриевна

AU - Воронин, В. И.

AU - Селянин, Игорь Олегович

PY - 2021

Y1 - 2021

N2 - Химическим осаждением на ситалловую подложку при варьировании в реакционной смеси концентрации соли ацетата кадмия Cd(CH3COO)2 в пределах 0.01-0.10 моль/л получены поликристаллические пленки пересыщенных твердых растворов замещения CdxPb1-xS (0.021≤ x≤0.090) с кубической структурой B1 (пр. гр. Fm3m) толщиной от ~0.4 до ~1.0 мкм. Установлена корреляция между структурно-морфологическими и функциональными свойствами тонкопленочных слоев CdxPb1-xS. Экстремальный характер зависимости вольтовой чувствительности от концентрации соли кадмия в реакционной ванне связан с немонотонным вхождением кадмия в кристаллическую решетку PbS. Показано, что максимальным фототоком обладают тонкопленочные слои CdxPb1-xS, сформированные из кристаллитов, имеющих выраженную кристаллографическую огранку. Обнаружена поверхностная чувствительность пленок CdxPb1-xS к присутствию ~0.02 мг/м3 NO2 в воздушной среде, что значительно ниже принятых предельно допустимых концентраций.

AB - Химическим осаждением на ситалловую подложку при варьировании в реакционной смеси концентрации соли ацетата кадмия Cd(CH3COO)2 в пределах 0.01-0.10 моль/л получены поликристаллические пленки пересыщенных твердых растворов замещения CdxPb1-xS (0.021≤ x≤0.090) с кубической структурой B1 (пр. гр. Fm3m) толщиной от ~0.4 до ~1.0 мкм. Установлена корреляция между структурно-морфологическими и функциональными свойствами тонкопленочных слоев CdxPb1-xS. Экстремальный характер зависимости вольтовой чувствительности от концентрации соли кадмия в реакционной ванне связан с немонотонным вхождением кадмия в кристаллическую решетку PbS. Показано, что максимальным фототоком обладают тонкопленочные слои CdxPb1-xS, сформированные из кристаллитов, имеющих выраженную кристаллографическую огранку. Обнаружена поверхностная чувствительность пленок CdxPb1-xS к присутствию ~0.02 мг/м3 NO2 в воздушной среде, что значительно ниже принятых предельно допустимых концентраций.

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=46667389

U2 - 10.21883/FTP.2021.12.51704.9726

DO - 10.21883/FTP.2021.12.51704.9726

M3 - Статья

VL - 55

SP - 1186

EP - 1194

JO - Физика и техника полупроводников

JF - Физика и техника полупроводников

SN - 0015-3222

IS - 12

ER -

ID: 23910491