Химическим осаждением на ситалловую подложку при варьировании в реакционной смеси концентрации соли ацетата кадмия Cd(CH3COO)2 в пределах 0.01-0.10 моль/л получены поликристаллические пленки пересыщенных твердых растворов замещения CdxPb1-xS (0.021≤ x≤0.090) с кубической структурой B1 (пр. гр. Fm3m) толщиной от ~0.4 до ~1.0 мкм. Установлена корреляция между структурно-морфологическими и функциональными свойствами тонкопленочных слоев CdxPb1-xS. Экстремальный характер зависимости вольтовой чувствительности от концентрации соли кадмия в реакционной ванне связан с немонотонным вхождением кадмия в кристаллическую решетку PbS. Показано, что максимальным фототоком обладают тонкопленочные слои CdxPb1-xS, сформированные из кристаллитов, имеющих выраженную кристаллографическую огранку. Обнаружена поверхностная чувствительность пленок CdxPb1-xS к присутствию ~0.02 мг/м3 NO2 в воздушной среде, что значительно ниже принятых предельно допустимых концентраций.