Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование
Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование
}
TY - JOUR
T1 - Переходы с переносом заряда в оптических спектрах оксидов NicMg1–cO
AU - Чурманов, Владимир Николаевич
AU - Соколов, В. И.
AU - Пустоваров, Владимир Алексеевич
AU - Груздев, Н.Б.
AU - Уймин, Михаил Александрович
AU - Бызов, И.В.
AU - Дружинин, А. В.
AU - Королев, А. В.
AU - Ким , Г. А.
AU - Зацепин, Анатолий Федорович
AU - Кузнецова, Юлия Алексеевна
PY - 2017
Y1 - 2017
N2 - В оксидах Ni c Mg1-c O ( с = 0,008) наблюдалась излучательная рекомбинация с переносом заряда в интервале температур 8-300 К, возникающая за счет сильной гибридизации 3 d -состояний иона Ni2+ и зонных состояний. В спектре возбуждения излучения с переносом заряда зарегистрированы колебательные LO повторения двух экситонных линий с переносом заряда с интервалом по энергии приблизительно 25 мэВ. В спектре поглощения нанокристаллов NiO обнаружены два слабых пика с энергиями 3,510 и 3,543 эВ, сильно зависящих от температуры. Они интерпретируется как экситоны с переносом заряда на краю фундаментального поглощения NiO. Расстояние между экситонными линиями с переносом заряда в спектрах оксидов Ni c Mg1-c O обусловлено спин-орбитальным расщеплением вершины валентной зоны, формируемой p -состояниями иона кислорода.
AB - В оксидах Ni c Mg1-c O ( с = 0,008) наблюдалась излучательная рекомбинация с переносом заряда в интервале температур 8-300 К, возникающая за счет сильной гибридизации 3 d -состояний иона Ni2+ и зонных состояний. В спектре возбуждения излучения с переносом заряда зарегистрированы колебательные LO повторения двух экситонных линий с переносом заряда с интервалом по энергии приблизительно 25 мэВ. В спектре поглощения нанокристаллов NiO обнаружены два слабых пика с энергиями 3,510 и 3,543 эВ, сильно зависящих от температуры. Они интерпретируется как экситоны с переносом заряда на краю фундаментального поглощения NiO. Расстояние между экситонными линиями с переносом заряда в спектрах оксидов Ni c Mg1-c O обусловлено спин-орбитальным расщеплением вершины валентной зоны, формируемой p -состояниями иона кислорода.
UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=28882804
M3 - Статья
VL - 43
SP - 649
EP - 656
JO - Физика низких температур
JF - Физика низких температур
SN - 0132-6414
IS - 4
ER -
ID: 6156449