Standard

Переходы с переносом заряда в оптических спектрах оксидов NicMg1–cO. / Чурманов, Владимир Николаевич; Соколов, В. И.; Пустоваров, Владимир Алексеевич и др.
в: Физика низких температур, Том 43, № 4, 2017, стр. 649-656.

Результаты исследований: Вклад в журналСтатьяРецензирование

Harvard

APA

Vancouver

Author

BibTeX

@article{59b9a3e81f0e44119e19e097cb0495f3,
title = "Переходы с переносом заряда в оптических спектрах оксидов NicMg1–cO",
abstract = "В оксидах Ni c Mg1-c O ( с = 0,008) наблюдалась излучательная рекомбинация с переносом заряда в интервале температур 8-300 К, возникающая за счет сильной гибридизации 3 d -состояний иона Ni2+ и зонных состояний. В спектре возбуждения излучения с переносом заряда зарегистрированы колебательные LO повторения двух экситонных линий с переносом заряда с интервалом по энергии приблизительно 25 мэВ. В спектре поглощения нанокристаллов NiO обнаружены два слабых пика с энергиями 3,510 и 3,543 эВ, сильно зависящих от температуры. Они интерпретируется как экситоны с переносом заряда на краю фундаментального поглощения NiO. Расстояние между экситонными линиями с переносом заряда в спектрах оксидов Ni c Mg1-c O обусловлено спин-орбитальным расщеплением вершины валентной зоны, формируемой p -состояниями иона кислорода.",
author = "Чурманов, {Владимир Николаевич} and Соколов, {В. И.} and Пустоваров, {Владимир Алексеевич} and Н.Б. Груздев and Уймин, {Михаил Александрович} and И.В. Бызов and Дружинин, {А. В.} and Королев, {А. В.} and Ким, {Г. А.} and Зацепин, {Анатолий Федорович} and Кузнецова, {Юлия Алексеевна}",
year = "2017",
language = "Русский",
volume = "43",
pages = "649--656",
journal = "Физика низких температур",
issn = "0132-6414",
publisher = "Физико-технический институт низких температур им. Б.И. Веркина Национальной академии наук Украины",
number = "4",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Переходы с переносом заряда в оптических спектрах оксидов NicMg1–cO

AU - Чурманов, Владимир Николаевич

AU - Соколов, В. И.

AU - Пустоваров, Владимир Алексеевич

AU - Груздев, Н.Б.

AU - Уймин, Михаил Александрович

AU - Бызов, И.В.

AU - Дружинин, А. В.

AU - Королев, А. В.

AU - Ким , Г. А.

AU - Зацепин, Анатолий Федорович

AU - Кузнецова, Юлия Алексеевна

PY - 2017

Y1 - 2017

N2 - В оксидах Ni c Mg1-c O ( с = 0,008) наблюдалась излучательная рекомбинация с переносом заряда в интервале температур 8-300 К, возникающая за счет сильной гибридизации 3 d -состояний иона Ni2+ и зонных состояний. В спектре возбуждения излучения с переносом заряда зарегистрированы колебательные LO повторения двух экситонных линий с переносом заряда с интервалом по энергии приблизительно 25 мэВ. В спектре поглощения нанокристаллов NiO обнаружены два слабых пика с энергиями 3,510 и 3,543 эВ, сильно зависящих от температуры. Они интерпретируется как экситоны с переносом заряда на краю фундаментального поглощения NiO. Расстояние между экситонными линиями с переносом заряда в спектрах оксидов Ni c Mg1-c O обусловлено спин-орбитальным расщеплением вершины валентной зоны, формируемой p -состояниями иона кислорода.

AB - В оксидах Ni c Mg1-c O ( с = 0,008) наблюдалась излучательная рекомбинация с переносом заряда в интервале температур 8-300 К, возникающая за счет сильной гибридизации 3 d -состояний иона Ni2+ и зонных состояний. В спектре возбуждения излучения с переносом заряда зарегистрированы колебательные LO повторения двух экситонных линий с переносом заряда с интервалом по энергии приблизительно 25 мэВ. В спектре поглощения нанокристаллов NiO обнаружены два слабых пика с энергиями 3,510 и 3,543 эВ, сильно зависящих от температуры. Они интерпретируется как экситоны с переносом заряда на краю фундаментального поглощения NiO. Расстояние между экситонными линиями с переносом заряда в спектрах оксидов Ni c Mg1-c O обусловлено спин-орбитальным расщеплением вершины валентной зоны, формируемой p -состояниями иона кислорода.

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=28882804

M3 - Статья

VL - 43

SP - 649

EP - 656

JO - Физика низких температур

JF - Физика низких температур

SN - 0132-6414

IS - 4

ER -

ID: 6156449