В оксидах Ni c Mg1-c O ( с = 0,008) наблюдалась излучательная рекомбинация с переносом заряда в интервале температур 8-300 К, возникающая за счет сильной гибридизации 3 d -состояний иона Ni2+ и зонных состояний. В спектре возбуждения излучения с переносом заряда зарегистрированы колебательные LO повторения двух экситонных линий с переносом заряда с интервалом по энергии приблизительно 25 мэВ. В спектре поглощения нанокристаллов NiO обнаружены два слабых пика с энергиями 3,510 и 3,543 эВ, сильно зависящих от температуры. Они интерпретируется как экситоны с переносом заряда на краю фундаментального поглощения NiO. Расстояние между экситонными линиями с переносом заряда в спектрах оксидов Ni c Mg1-c O обусловлено спин-орбитальным расщеплением вершины валентной зоны, формируемой p -состояниями иона кислорода.