Standard

Harvard

APA

Vancouver

Author

BibTeX

@article{0b03f282fb6b42dea46b19f39519b2c6,
title = "РЕЗОНАНСНАЯ ФОТОЭМИССИОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ CU(INGA)SE2",
abstract = "Методом резонансной фотоэмиссии определена электронная структура монокристаллов CuIn1-xGaxSe2, установлены основные закономерности ее трансформации при изменении концентрации x от 0 до 1. Исследована зависимость формы спектров валентных полос от энергии фотонов. Показано, что интегральные интенсивности фотоэмиссии определяются атомными сечениями фотоионизации. Изучены сопровождающие фотоэмиссию процессы прямого и двухступенчатого рождения фотоэлектронов, участие внутренних состояний в спектрах электронов из валентных полос. При пороговом возбуждении Cu 2p-уровня получены двухдырочные конечные состояния в фотоэмисии. Сильное взаимодействие дырок приводит к мультиплетному расщеплению этих состояний. С использованием энергетической зависимости атомных сечений фотоионизации определены парциальные плотности состояний компонентов.",
author = "Гребенников, {Владимир Иосифович} and Кузнецова, {Татьяна Владимировна} and Якушев, {Михаил Васильевич}",
year = "2013",
doi = "10.7868/S0367676513090159",
language = "Русский",
volume = "77",
pages = "1282",
journal = "Известия Российской академии наук. Серия физическая",
issn = "0367-6765",
publisher = "Российская академия наук",
number = "9",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - РЕЗОНАНСНАЯ ФОТОЭМИССИОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ CU(INGA)SE2

AU - Гребенников, Владимир Иосифович

AU - Кузнецова, Татьяна Владимировна

AU - Якушев, Михаил Васильевич

PY - 2013

Y1 - 2013

N2 - Методом резонансной фотоэмиссии определена электронная структура монокристаллов CuIn1-xGaxSe2, установлены основные закономерности ее трансформации при изменении концентрации x от 0 до 1. Исследована зависимость формы спектров валентных полос от энергии фотонов. Показано, что интегральные интенсивности фотоэмиссии определяются атомными сечениями фотоионизации. Изучены сопровождающие фотоэмиссию процессы прямого и двухступенчатого рождения фотоэлектронов, участие внутренних состояний в спектрах электронов из валентных полос. При пороговом возбуждении Cu 2p-уровня получены двухдырочные конечные состояния в фотоэмисии. Сильное взаимодействие дырок приводит к мультиплетному расщеплению этих состояний. С использованием энергетической зависимости атомных сечений фотоионизации определены парциальные плотности состояний компонентов.

AB - Методом резонансной фотоэмиссии определена электронная структура монокристаллов CuIn1-xGaxSe2, установлены основные закономерности ее трансформации при изменении концентрации x от 0 до 1. Исследована зависимость формы спектров валентных полос от энергии фотонов. Показано, что интегральные интенсивности фотоэмиссии определяются атомными сечениями фотоионизации. Изучены сопровождающие фотоэмиссию процессы прямого и двухступенчатого рождения фотоэлектронов, участие внутренних состояний в спектрах электронов из валентных полос. При пороговом возбуждении Cu 2p-уровня получены двухдырочные конечные состояния в фотоэмисии. Сильное взаимодействие дырок приводит к мультиплетному расщеплению этих состояний. С использованием энергетической зависимости атомных сечений фотоионизации определены парциальные плотности состояний компонентов.

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=20280518

U2 - 10.7868/S0367676513090159

DO - 10.7868/S0367676513090159

M3 - Статья

VL - 77

SP - 1282

JO - Известия Российской академии наук. Серия физическая

JF - Известия Российской академии наук. Серия физическая

SN - 0367-6765

IS - 9

ER -

ID: 7221078