Методом резонансной фотоэмиссии определена электронная структура монокристаллов CuIn1-xGaxSe2, установлены основные закономерности ее трансформации при изменении концентрации x от 0 до 1. Исследована зависимость формы спектров валентных полос от энергии фотонов. Показано, что интегральные интенсивности фотоэмиссии определяются атомными сечениями фотоионизации. Изучены сопровождающие фотоэмиссию процессы прямого и двухступенчатого рождения фотоэлектронов, участие внутренних состояний в спектрах электронов из валентных полос. При пороговом возбуждении Cu 2p-уровня получены двухдырочные конечные состояния в фотоэмисии. Сильное взаимодействие дырок приводит к мультиплетному расщеплению этих состояний. С использованием энергетической зависимости атомных сечений фотоионизации определены парциальные плотности состояний компонентов.