Rearrangement of ferroelectric domain structure induced by chemical etching › Обзор исследований

DOI

https://doi.org/10.1063/1.1993769
Конечная издательская версия

V. Ya. Shur
A. I. Lobov
A. G. Shur
S. Kurimura
Y. Nomura
K. Terabe
K. Kitamura
X. Y. Liu

Язык оригинала	Английский
Номер статьи	022905
Журнал	Applied Physics Letters
Том	87
Номер выпуска	2
DOI	https://doi.org/10.1063/1.1993769
Состояние	Опубликовано - 11 июл. 2005

Предметные области WoS

Физика, Прикладная

Предметные области ASJC Scopus

Physics and Astronomy (miscellaneous)

ID: 7223970