Nonohmic conductance and mechanisms of energy relaxation in 2D electron Gas in GaAs/InGaAs/GaAs heterostructures › Обзор исследований

DOI

https://doi.org/10.1134/1.1864203
Конечная издательская версия

Язык оригинала	Английский
Страницы (с-по)	221-225
Число страниц	5
Журнал	Semiconductors
Том	39
Номер выпуска	2
DOI	https://doi.org/10.1134/1.1864203
Состояние	Опубликовано - 1 янв. 2005

Предметные области ASJC Scopus

Electronic, Optical and Magnetic Materials
Atomic and Molecular Physics, and Optics
Condensed Matter Physics

Предметные области WoS

Физика, Конденсированных сред

ID: 8532582