Manifestations of quantum confinement in semiconductor structures with wide doped wells › Обзор исследований

DOI

https://doi.org/10.1134/1.1379413
Конечная издательская версия

Язык оригинала	Английский
Страницы (с-по)	723-726
Число страниц	4
Журнал	Semiconductors
Том	35
Номер выпуска	6
DOI	https://doi.org/10.1134/1.1379413
Состояние	Опубликовано - июн. 2001

Предметные области WoS

Физика, Конденсированных сред

ID: 8940599