Electronic structure and structural defects in 3d-metal doped In2O3 › Обзор исследований

DOI

https://doi.org/10.1007/s10854-019-01775-2
Конечная издательская версия

J. Ho
J. Becker
B. Leedahl
D. W. Boukhvalov
I. S. Zhidkov
A. I. Kukharenko
E. Z. Kurmaev
S. O. Cholakh
N. V. Gavrilov
V. I. Brinzari
A. Moewes

Язык оригинала	Английский
Страницы (с-по)	14091-14098
Число страниц	8
Журнал	Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Том	30
Номер выпуска	15
DOI	https://doi.org/10.1007/s10854-019-01775-2
Состояние	Опубликовано - 1 авг. 2019

Предметные области WoS

Технологии, Электротехника и электроника
Материаловедение, Междисциплинарные труды
Физика, Прикладная
Физика, Конденсированных сред

Предметные области ASJC Scopus

Electronic, Optical and Magnetic Materials
Atomic and Molecular Physics, and Optics
Condensed Matter Physics
Electrical and Electronic Engineering

ID: 10469503