DIRECT DETERMINATION OF FORBIDDEN-BAND WIDTH OF A HEAVILY DOPED SEMICONDUCTOR. › Обзор исследований

Язык оригинала	Английский
Страницы (с-по)	337-338
Число страниц	2
Журнал	Semiconductors
Том	10
Номер выпуска	3
Состояние	Опубликовано - 1 янв. 1976

Предметные области ASJC Scopus

Engineering(all)

Предметные области WoS

Физика, Конденсированных сред

ID: 7212082