На основе метода молекулярной динамики проведены исследования термостабильности интерфейсных состояний армированных 2D-кристаллами графена и силицена металлических пленок Al, Ag, Sn, Pb, Hg (структурных элементов композитов-сверхпроводников и подводящих электродов) при нагреве до разупорядочения и формирования в поверхностях раздела неавтономных флюидных псевдофаз. Изучено влияние на атомную динамику перфорационных дефектов в армирующих 2D-C и -Si плоскостях, с пассивированными краевыми ковалентными связями. Показано, что в сравнении Al и Ag при термоактивированных процессах разупорядочения при монотонном росте с температурой коэффициентов диффузии для пленок Pb, Hg наблюдалось не только уменьшение межатомных расстояний и сокращение размеров, но и формирование капель с увеличением их профиля плотности вдоль нормали. При сворачивании капель Pb и Hg зафиксировано уменьшение краевого угла смачивания, а также сокращение интерфейсного контакта с графеном и ростом эффектов его гофрирования (волнистости).