Методом высоковакуумного магнетронного распыления были синтезированы эпитаксиальные пленки Dy на буферных слоях Nb и Ta на монокристаллических подложках Al₂O₃ с различными кристаллографическими ориентациями. Установлено, что при росте буферного слоя Nb(Ta) на монокристаллических подложках сапфира различных кристаллографических ориентаций выполняются эпитаксиальные соотношения [112^ˉ0]Al₂O₃ || [011]Nb(Ta) и [11ˉ02]Al₂O₃ || [011]Nb(Ta). Второе соотношение до настоящего времени никогда не наблюдали и оно может быть вызвано тем, что скорости роста при магнетронном распылении примерно на два порядка превышают скорости роста при молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено, что во всех случаях наблюдается расширение кристаллической решетки Dy в базисной плоскости на 2.8–3%. Пленки Dy, выращенные на буферных слоях Ta, в отличие от образцов на Nb, характеризуются большим значением намагниченности насыщения, причем ее наибольшее значение достигается в поликристаллических пленках Dy.