Дан критический обзор так называемых ab initio методов расчета электронной структуры, энергетического спектра и оптического отклика для сильнокоррелированных 3d-оксидов (в частности, внутриконфигурационных переходов d–d (crystal field transitions) и переходов с переносом заряда), основанных на теории функционала плотности (DFT, density fuctional theory). Указанные методы сравниваются с кластерной моделью, основанной на обобщении теории кристаллического поля и поля лигандов. В качестве иллюстрации применимости различных расчетных методов рассматривается оксид никеля NiO, являющийся типичным 3d-изолятором в противоречии с предсказаниями стандартной DFT–LDA (local density approximation) зонной модели.