В нанокомзозите Cd48.6Mn11.4As40 в интервале температур 10-350 K впервые измерены температурные зависимости электросопротивления и намагниченности. Показано, что электрофизические свойства Cd48.6Mn11.4As40 обусловлены спиновой поляризацией собственных электронов в матрице Cd3As2 спин-поляризованными электронами, инжектируемыми в нее из ферромагнитных нанокластеров MnAs. С ростом намагниченности всего образца, угол между намагниченностями отдельных нанокластеров уменьшается и спин-поляризованный ток возрастает. Кроме того, повышение концентрации собственных носителей в матрице приводит к увеличению спин-поляризованного тока. Эта концепция подтверждается и измерениями вольтамперных характеристик (ВАХ) при напряжениях до 5 V при температурах как ниже критической температуры образования кластерного стекла Tcg=241 (при 77 и 172 K), так и выше нее (при 273.15 и 373.15 K), которые обнаруживают отклонение от омичности, возрастающее с напряжением. Это означает, что чем больше спиновая поляризация собственных электронов в Cd3As2, вследствие увеличения инжекции спин-поляризованных электронов из MnAs с напряжением, тем больше ток. Ключевые слова: спин, нанокомпозиты, вольт-амперные характеристики, сопротивление, спиновая поляризация, полупроводники, спиновая инжекция, намагниченность.
