Пленки твердых растворов замещения CdPbS находят широкое применение в различных областях оптоэлектроники, в том числе в конструкциях фоторезисторов для ближнего ИК-диапазона, отличающихся высоким быстродействием и чувствительностью, лазерной техники, а также в областях сенсорной аналитики и гелиоэнергетики. Сущность предлагаемого метода состоит в применении для получения пленок CdxPb1−xS способа ионообменной трансформации пленок CdS, позволяющего повысить содержание кадмия в составе твердого раствора за счет обработки предварительно полученных пленок сульфида кадмия (II) в водном растворе ацетата свинца (II), а также гомогенизации их с применением последующей термической обработки. Изобретение обеспечивает возможность повысить содержание кадмия в составе твердого раствора CdPbS и, кроме того, добиться получения однородных по составу пленок.