Исследованы структура и магнитные свойства тонких поликристаллических пленок Co100-xWx (0≤ x≤30), осажденных методом магнетронного распыления на стеклянные подложки, в том числе содержащие буферные слои Ta, W, Ru. Установлено что пленки чистого Со неоднофазны и содержат ГПУ- и ГЦК-кристаллические модификации. Легирование ведет к повышению концентрации ГЦК-фазы и усилению текстуры типа (111), а в последующем к аморфизации пленок. На глубину и концентрационную локализацию указанных преобразований определенное влияние оказывают буферные слои. Характерной особенностью магнетизма пленок Co-W является значительная перпендикулярная составляющая в макроскопической магнитной анизотропии, приводящая к "закритическому" магнитному состоянию. Показано, что ее источником выступает текстурированная ГЦК-фаза, кристаллическая анизотропия которой усиливается в результате легирования кобальта вольфрамом. Ключевые слова: пленка, легирование, подложка, структура, магнитные свойства.