В температурном интервале 79-450 K исследованы гистерезисные и магниторезистивные свойства обменно-связанных пленочных структур Tb 24Co 76/Co/Fe 20Ni 80. Установлены зависимости поля смещения слоя пермаллоя и анизотропного магниторезистивного эффекта от температуры в пленках с прослойкой Со разной толщины. На основе представлений об изменении локализации межслойного магнитного интерфейса дана интерпретация наблюдаемых зависимостей.