Работа посвящена синтезу и исследованию электрических свойств аморфных халькогенидов AgGe1+xAs1-xS3 (x=0.1, 0.4-0.6, 0.9) при низких температурах. Исследования проведены с целью получения материалов с улучшенными характеристиками (увеличение доли ионного переноса, снижение температур его появления, увеличение величины проводимости). Синтезированные соединения являются электронно-ионными проводниками. Увеличение доли германия приводит к повышению температуры начала ионного переноса и к уменьшению удельной электропроводности.