Показаны условия создания полупроводниковых латеральных спиновых устройств с высокой эффективностью спиновой инжекции. Детально рассмотрены технологические аспекты формирования магнитных элементов спинового устройства, его электрических контактов и тонкого диэлектрического слоя из MgO, необходимые для эффективной инжекции спин-поляризованных электронов. Впервые получен для InSb коэффициент поляризации электронов порядка 25 %.