Проблема очистки воды от токсичных соединений в последнее время становится все более актуальной. В промышленных и коммунальных стоках растет содержание антибиотиков, красителей и других трудноокисляемых органических соединений, с полным удалением которых традиционные методы водоподготовки не справляются. Одним из наиболее перспективных и экологически чистых методов очистки воды является фотокаталитическое разложение органических соединений под действием света в присутствии полупроводниковых материалов. В настоящей работе представлены результаты исследований каталитической активности химически осажденных пленок CuS и CuS (Ni) в реакции фотодеградации метиленового синего. Для целенаправленного химического осаждения пленок сульфида меди проанализированы ионные равновесия в системе «CuSO4 - CH3COONa - CH3COOH - N2H4CS» и определены преобладающие в растворе комплексные соединения меди(II) в области значений рН 0-14, а также установлена потенциальная область образования сульфида меди(II) по гомогенному механизму. Химическим осаждением получены пленки CuS толщиной 100±10 нм с хорошей адгезией к поверхности как ситалла, так и матированного кварца. Электронно-микроскопическими исследованиями поверхности пленок CuS, осажденных на ситалловые подложки, показано, что частицы, из которых они сформированы, имеют средние размеры ~10 нм. Показано, что степень разложения красителя метиленового синего на поверхности тонкопленочного фотокатализатора СuS под действием видимого света составляет 15.6%.
