Проведено исследование процессов перемагничивания тонких пленок Ta/Tb29Co71/Ta с различными типами наноструктурирования. Осаждение магнитного материала производилось на пористую поверхность подложек, барьерный оксидный слой и сплошную подложку. Для всех пленок показано наличие сильной перпендикулярной магнитной анизотропии. Проанализированы процессы перемагничивания и характер доменной структуры для пленок на разных подложках. Для пленок, осажденных на пористые подложки, наблюдалось более чем трехкратное увеличение коэрцитивной силы по сравнению со сплошной и осажденной на барьерный слой пленками, которое сопровождалось уменьшением среднего размера доменов в области коэрцитивной силы.