Методом резонансной фотоэмиссионной спектроскопии с использованием синхротронного излучения исследованы электронные состояния на поверхности интерметаллидов LaMn2Si2, La0.75Sm0.25Mn2Si2, установлены основные закономерности формирования электронной структуры при частичном замещении атомов лантана на самарий. Исследована зависимость формы спектров валентных полос с изменением энергии фотонов вблизи краев поглощения внутренних уровней компонентов. Изучены процессы прямого и двухступенчатого рождения фотоэлектронов, упругого и неупругого каналов распада состояний с испусканием высокоэнергетических электронов за счет внутриатомного кулоновского взаимодействия. Методами атомно-силовой и магнитно-силовой микроскопии исследованы особенности поверхности соединений при комнатной температуре. Показано наличие сложной магнитной доменной структуры в соединении LaMn2Si2 и при частичном замещении лантана на самарий.