TY - PAT

T1 - Способ получения кристаллов твердых растворов галогенидов серебра и таллия (I)

T2 - патент на изобретение

AU - Корсаков, Виктор Сергеевич

AU - Львов, Александр Евгеньевич

AU - Корсаков, Александр Сергеевич

AU - Салимгареев, Дмитрий Дарисович

AU - Корсаков, Михаил Сергеевич

AU - Жукова, Лия Васильевна

PY - 2018/9/27

Y1 - 2018/9/27

N2 - Изобретение относится к области получения кристаллов на основе твердых растворов бромида серебра (AgBr) и иодида одновалентного таллия (TlI). Кристаллы прозрачны от видимой до дальней инфракрасной (ИК) области спектра (0,5-67,0 мкм), пластичны, не обладают эффектом спайности, поэтому из них изготавливают методом горячего прессования оптические изделия (линзы, окна, пленки) и получают методом экструзии микроструктурированные световоды для среднего ИК-диапазона (2,0-25,0 мкм). Такие оптические изделия и ИК-световоды необходимы для создания волоконных лазеров и усилителей, волоконно-оптических систем для ИК-спектроскопии, в том числе в условиях повышенного радиационного фона, низкотемпературной ИК-пирометрии, для передачи ИК-излучения СО (5,3-6,2 мкм) и СО2-лазеров (9,2-11,4 мкм). Способ включает синтез твердых растворов гидрохимическим методом, их расплавление и последующее выращивание кристаллов в ростовой печи по методу Бриджмена, при этом предварительно в верхней зоне ростовой печи устанавливают температуру 450-470°С, в нижней зоне 250-260°С, а выращивание кристаллов осуществляют при осевом температурном градиенте в зоне кристаллизации 50-60°С/см между верхней и нижней зонами и скорости роста 0,2-0,4 мм/ч. Кристаллы твердых растворов содержат бромид серебра и иодид одновалентного таллия при следующем соотношении ингредиентов, мас.%: бромид серебра 1,0-20,0; иодид одновалентного таллия 99,0-80,0. Полученные кристаллы системы AgBr-TlI, содержащие от 1,0 до 20,0 мас.% AgBr в TlI, обладают следующими преимуществами: расширен диапазон прозрачности кристаллов до дальней ИК-области спектра, т.е. спектральное пропускание составляет от 0,5 до 67,0 мкм; кристаллы устойчивы к длительному УФ-облучению (более 10 часов); кристаллы устойчивы к радиационному гамма-облучению дозой до 1000 кГр и более.

AB - Изобретение относится к области получения кристаллов на основе твердых растворов бромида серебра (AgBr) и иодида одновалентного таллия (TlI). Кристаллы прозрачны от видимой до дальней инфракрасной (ИК) области спектра (0,5-67,0 мкм), пластичны, не обладают эффектом спайности, поэтому из них изготавливают методом горячего прессования оптические изделия (линзы, окна, пленки) и получают методом экструзии микроструктурированные световоды для среднего ИК-диапазона (2,0-25,0 мкм). Такие оптические изделия и ИК-световоды необходимы для создания волоконных лазеров и усилителей, волоконно-оптических систем для ИК-спектроскопии, в том числе в условиях повышенного радиационного фона, низкотемпературной ИК-пирометрии, для передачи ИК-излучения СО (5,3-6,2 мкм) и СО2-лазеров (9,2-11,4 мкм). Способ включает синтез твердых растворов гидрохимическим методом, их расплавление и последующее выращивание кристаллов в ростовой печи по методу Бриджмена, при этом предварительно в верхней зоне ростовой печи устанавливают температуру 450-470°С, в нижней зоне 250-260°С, а выращивание кристаллов осуществляют при осевом температурном градиенте в зоне кристаллизации 50-60°С/см между верхней и нижней зонами и скорости роста 0,2-0,4 мм/ч. Кристаллы твердых растворов содержат бромид серебра и иодид одновалентного таллия при следующем соотношении ингредиентов, мас.%: бромид серебра 1,0-20,0; иодид одновалентного таллия 99,0-80,0. Полученные кристаллы системы AgBr-TlI, содержащие от 1,0 до 20,0 мас.% AgBr в TlI, обладают следующими преимуществами: расширен диапазон прозрачности кристаллов до дальней ИК-области спектра, т.е. спектральное пропускание составляет от 0,5 до 67,0 мкм; кристаллы устойчивы к длительному УФ-облучению (более 10 часов); кристаллы устойчивы к радиационному гамма-облучению дозой до 1000 кГр и более.

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=37360453

M3 - Патент

M1 - 2668247

Y2 - 2017/12/26

PB - Федеральный институт промышленной собственности

ER -