Полупроводниковые соединения на основе халькогенидов металлов используются в опто- и нано-электронике, фотовольтаике и сенсорике, устройствах для преобразования и хранения энергии, биомедицине. Для их получения используют как физические (вакуумное напыление, термическое испарение, магнетронное распыление), так и химические (спрей-пиролиз, метод SILAR, электрохимическое и химическое осаждение) методы получения. Химическое осаждение - наиболее простой в приборном оформлении, низкотемпературный метод, не требующий агрессивных сред, обеспечивающий воспроизводимость. При получении одного из наиболее востребованных представителей распространенного семейства полупроводников - узкозонного сульфида свинца PbS в качестве донора ионов серы S2- используют тиомочевину CH4N2S (ТМ), тиоацетамид CH3CSNH2 (ТАА) и аллил-тиомочевину C4H8N2S (АТМ). Каждому сульфидизатору характерна своя скорость образования тонкопленочного слоя сульфида свинца. Для управления процессом формирования пленок PbS необходимо знание механизма. Нами кратко рассмотрены два принципиально различных механизма образования сульфидов металлов. Для прогнозирования условий образования сульфида свинца в работе проведен анализ ионных равновесий с определением концентрационных областей образования пленок сульфида свинца в трех реакционных системах «Pb(СН3СОО)2 - Na3C5Н5О7 - NH4OH - TM», «Pb(СН3СОО)2 - Na3C5Н5О7 - NаOH - TАА», «Pb(СН3СОО)2 - Na3C5Н5О7 - КOH - АTM». В работе обсуждаются результаты экспериментальной проверки установленных расчетом условий химического осаждения пленок PbS на стеклянные подложки. Электронно-микроскопическими исследованиями и EDX анализом показано влияние природы халькогенизатора на толщину, морфологию, элементный состав, а также на размер и форму зерен, из которых сформированы синтезированные пленки PbS из приведенных реакционных систем.
