С помощью анализа картин изгибных экстинкционных контуров, присутствующих на электронно-микроскопических изображениях нанотонких (~80 нм) пространственных диссипативных структур, исследуются процессы формирования оборванных, малоугловых, межблочных границ в нанотонких пространственных диссипативных структурах гексагонального селена с упругим ротационным искривлением решетки вокруг [001]. Обнаружен эффект изменения знака вектора разориентировки вдоль оборванных, малоугловых, межблочных границ кручения. С учетом изменения вдоль межблочной границы и модуля, и знака вектора разориентировки развивается модель формирования оборванных, малоугловых, межблочных границ кручения в нанотонких пространственных диссипативных структурах гексагонального селена, решетка которых испытывает упругое ротационное искривление. Выводится формула для расчета энергии оборванных, малоугловых, межблочных границ кручения, сформировавщихся в нанотонких пространственных диссипативных структурах, вдоль которых изменяются и модуль, и знак вектора разориентировки.