Результаты исследований: Патент
Результаты исследований: Патент
}
TY - PAT
T1 - Программа для расчёта эволюции пространственного распределения пироэлектрического поля в пластине сегнетоэлектрика при воздействии импульсного лазерного излучения
T2 - свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ
AU - Кособоков, Михаил Сергеевич
AU - Ефимов, Артем Владимирович
N1 - Работа выполнена с использованием Уральского ЦКП «Современные нанотехнологии» УрФУ.
PY - 2022/11/24
Y1 - 2022/11/24
N2 - Программа предназначена для расчета методом конечных элементов пространственного распределения температуры и пироэлектрических полей и их зависимости от времени, возникающих в пластине одноосного сегнетоэлектрика при воздействии импульсов лазерного излучения. Входные параметры: исследуемый материал, длина волны лазера, энергия в импульсе, количество и частота следования импульсов, показатель поглощения и коэффициент отражения для заданной длины волны, размеры пластины и ее начальная температура, радиус и расходимость лазерного луча, фокусное расстояние объектива и расстояние от него до поверхности пластины. Программа может быть использована для создания доменной структуры в сегнетоэлектрических кристаллах воздействием лазерного излучения без приложения электрического поля. Работа выполнена с использованием Уральского ЦКП «Современные нанотехнологии» УрФУ. Тип ЭВМ: Персональный компьютер; ОС: Linux, Windows 8, 10, 11.
AB - Программа предназначена для расчета методом конечных элементов пространственного распределения температуры и пироэлектрических полей и их зависимости от времени, возникающих в пластине одноосного сегнетоэлектрика при воздействии импульсов лазерного излучения. Входные параметры: исследуемый материал, длина волны лазера, энергия в импульсе, количество и частота следования импульсов, показатель поглощения и коэффициент отражения для заданной длины волны, размеры пластины и ее начальная температура, радиус и расходимость лазерного луча, фокусное расстояние объектива и расстояние от него до поверхности пластины. Программа может быть использована для создания доменной структуры в сегнетоэлектрических кристаллах воздействием лазерного излучения без приложения электрического поля. Работа выполнена с использованием Уральского ЦКП «Современные нанотехнологии» УрФУ. Тип ЭВМ: Персональный компьютер; ОС: Linux, Windows 8, 10, 11.
UR - https://www.elibrary.ru/item.asp?id=49976474
M3 - Патент
M1 - 2022682547
Y2 - 2022/11/15
PB - Федеральный институт промышленной собственности
ER -
ID: 46679902