Standard

ОЦЕНКА ПОДВИЖНОСТИ КИСЛОРОДНЫХ ВАКАНСИЙ В НАНОТРУБКАХ ДИОКСИДА ТИТАНА В РАМКАХ МОДЕЛИ НЕЛИНЕЙНОЙ МИГРАЦИИ ДЕФЕКТОВ. / Вохминцев, Александр Сергеевич; Петренев, Илья Александрович; Федоров, Данил Дмитриевич и др.
в: Научно-технический вестник Поволжья, № 12, 2022, стр. 22-25.

Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

Harvard

Вохминцев, АС, Петренев, ИА, Федоров, ДД, Шилов, АО & Вайнштейн, ИА 2022, 'ОЦЕНКА ПОДВИЖНОСТИ КИСЛОРОДНЫХ ВАКАНСИЙ В НАНОТРУБКАХ ДИОКСИДА ТИТАНА В РАМКАХ МОДЕЛИ НЕЛИНЕЙНОЙ МИГРАЦИИ ДЕФЕКТОВ', Научно-технический вестник Поволжья, № 12, стр. 22-25.

APA

Вохминцев, А. С., Петренев, И. А., Федоров, Д. Д., Шилов, А. О., & Вайнштейн, И. А. (2022). ОЦЕНКА ПОДВИЖНОСТИ КИСЛОРОДНЫХ ВАКАНСИЙ В НАНОТРУБКАХ ДИОКСИДА ТИТАНА В РАМКАХ МОДЕЛИ НЕЛИНЕЙНОЙ МИГРАЦИИ ДЕФЕКТОВ. Научно-технический вестник Поволжья, (12), 22-25.

Vancouver

Вохминцев АС, Петренев ИА, Федоров ДД, Шилов АО, Вайнштейн ИА. ОЦЕНКА ПОДВИЖНОСТИ КИСЛОРОДНЫХ ВАКАНСИЙ В НАНОТРУБКАХ ДИОКСИДА ТИТАНА В РАМКАХ МОДЕЛИ НЕЛИНЕЙНОЙ МИГРАЦИИ ДЕФЕКТОВ. Научно-технический вестник Поволжья. 2022;(12):22-25.

Author

Вохминцев, Александр Сергеевич ; Петренев, Илья Александрович ; Федоров, Данил Дмитриевич и др. / ОЦЕНКА ПОДВИЖНОСТИ КИСЛОРОДНЫХ ВАКАНСИЙ В НАНОТРУБКАХ ДИОКСИДА ТИТАНА В РАМКАХ МОДЕЛИ НЕЛИНЕЙНОЙ МИГРАЦИИ ДЕФЕКТОВ. в: Научно-технический вестник Поволжья. 2022 ; № 12. стр. 22-25.

BibTeX

@article{ef0f046791db4aa484502382fa70d809,
title = "ОЦЕНКА ПОДВИЖНОСТИ КИСЛОРОДНЫХ ВАКАНСИЙ В НАНОТРУБКАХ ДИОКСИДА ТИТАНА В РАМКАХ МОДЕЛИ НЕЛИНЕЙНОЙ МИГРАЦИИ ДЕФЕКТОВ",
abstract = "В работе рассматривается модель линейной и нелинейной миграции дефектов в активном слое мемристора в предположении, что электрическое сопротивление моделируемого устройства зависит от положения границы между дефектной и бездефектной областями в диэлектрическом слое. Реализована возможность введения функции окна, задающей условия для перемещения границы между областями в заданной толщине активного слоя. Показана возможность использования реализованной модели для описания экспериментальных данных на примере структуры Ti/TiO2/Au с толщиной оксидного слоя 120 и 160 нм, который состоял из нанотрубок с внешним диаметром 45 нм. Для данной структуры установлено, что начальная толщина дефектной области составляет 93-95% от всей толщины оксидного слоя, а подвижность дефектов, которыми являются кислородные вакансии, равна р = (6.1...8.2) • 10-16м2/(Вх).",
author = "Вохминцев, {Александр Сергеевич} and Петренев, {Илья Александрович} and Федоров, {Данил Дмитриевич} and Шилов, {Артём Олегович} and Вайнштейн, {Илья Александрович}",
note = "Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования Российской Федерации в рамках Программы развития Уральского федерального университета имени первого Президента России Б.Н. Ельцина в соответствии с программой стратегического академического лидерства «Приоритет-2030».",
year = "2022",
language = "Русский",
pages = "22--25",
journal = "Научно-технический вестник Поволжья",
issn = "2079-5920",
publisher = "Общество с ограниченной ответственностью {"}Научно-технический вестник Поволжья{"}",
number = "12",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - ОЦЕНКА ПОДВИЖНОСТИ КИСЛОРОДНЫХ ВАКАНСИЙ В НАНОТРУБКАХ ДИОКСИДА ТИТАНА В РАМКАХ МОДЕЛИ НЕЛИНЕЙНОЙ МИГРАЦИИ ДЕФЕКТОВ

AU - Вохминцев, Александр Сергеевич

AU - Петренев, Илья Александрович

AU - Федоров, Данил Дмитриевич

AU - Шилов, Артём Олегович

AU - Вайнштейн, Илья Александрович

N1 - Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования Российской Федерации в рамках Программы развития Уральского федерального университета имени первого Президента России Б.Н. Ельцина в соответствии с программой стратегического академического лидерства «Приоритет-2030».

PY - 2022

Y1 - 2022

N2 - В работе рассматривается модель линейной и нелинейной миграции дефектов в активном слое мемристора в предположении, что электрическое сопротивление моделируемого устройства зависит от положения границы между дефектной и бездефектной областями в диэлектрическом слое. Реализована возможность введения функции окна, задающей условия для перемещения границы между областями в заданной толщине активного слоя. Показана возможность использования реализованной модели для описания экспериментальных данных на примере структуры Ti/TiO2/Au с толщиной оксидного слоя 120 и 160 нм, который состоял из нанотрубок с внешним диаметром 45 нм. Для данной структуры установлено, что начальная толщина дефектной области составляет 93-95% от всей толщины оксидного слоя, а подвижность дефектов, которыми являются кислородные вакансии, равна р = (6.1...8.2) • 10-16м2/(Вх).

AB - В работе рассматривается модель линейной и нелинейной миграции дефектов в активном слое мемристора в предположении, что электрическое сопротивление моделируемого устройства зависит от положения границы между дефектной и бездефектной областями в диэлектрическом слое. Реализована возможность введения функции окна, задающей условия для перемещения границы между областями в заданной толщине активного слоя. Показана возможность использования реализованной модели для описания экспериментальных данных на примере структуры Ti/TiO2/Au с толщиной оксидного слоя 120 и 160 нм, который состоял из нанотрубок с внешним диаметром 45 нм. Для данной структуры установлено, что начальная толщина дефектной области составляет 93-95% от всей толщины оксидного слоя, а подвижность дефектов, которыми являются кислородные вакансии, равна р = (6.1...8.2) • 10-16м2/(Вх).

UR - https://www.elibrary.ru/item.asp?id=50076300

M3 - Статья

SP - 22

EP - 25

JO - Научно-технический вестник Поволжья

JF - Научно-технический вестник Поволжья

SN - 2079-5920

IS - 12

ER -

ID: 33252028