Методом парамагнитного резонанса проведено исследование специально выращенных кристаллов Sc2SiO5 : Gd и Sc2SiO5 : Fe. Установлено, что ионы Fe3+ замещают Sc3+ в обеих кристаллографических позициях, тогда как ионы Gd3+ демонстрируют один центр, локализованный в более просторной позиции с координационным числом 7. Измерение ориентационного поведения положений переходов центров Fe3+ и Gd3+ в двух ортогональных плоскостях позволило определить параметры их триклинных спиновых гамильтонианов. Ориентация главных осей Z тензоров тонкой структуры второго ранга используется для определения локализации примесных ионов Cr3+, Fe3+ и Gd3+ в силикатах скандия и иттрия.