Изучены пороговые, спектральные и эксплуатационные характеристики экспериментальных образцов фоторезисторов, изготовленных на основе химически осажденных полупроводниковых пленок сульфида свинца, допированных в процессе синтеза хлором и бромом. Разработанные фоторезисторы при относительно высоком уровне фотоответа обладают аномально малой постоянной времени 13-40 мкс, что в 15-40 раз ниже известных коммерческих образцов на основе слоев сульфида свинца. Это позволяет их использовать для создания быстродействующих извещателей открытого пламени и других высокотемпературных источников.