Ссылки

Изобретение относится к получению кремния в виде микроразмерных пленок, которые могут быть использованы в микроэлектронике, устройствах преобразования и накопления энергии. Проводят электролиз галогенидного расплава из смеси солей, содержащей, мас.%: 5-30 хлорида лития (LiCl), 5-20 хлорида калия (KCl), 45-90 хлорида цезия (CsCl), 1-5 гексафторсиликата калия (K2SiF6). Электролиз расплава ведут в инертной атмосфере при температуре от 400 до 550°C с периодическим реверсом тока с анодного на катодный. Величина импульса анодного тока составляет от 5 до 45 мА/см2 при длительности от 1 до 30 с, а величина импульса катодного тока составляет от 3 до 30 мА/см2 при длительности от 60 до 3600 с. Способ позволяет получить сплошные микроразмерные пленки кремния при снижении температуры электроосаждения, повысить чистоту кремния и увеличить срок эксплуатации конструкционных материалов реактора для осуществления способа. 3 ил.
Переведенное названиеMethod for Electrolytic Production of Microsized Silicon Films from Molten Salts: patent of invention
Язык оригиналаРусский
Номер патента2797969
IPCC25B 1/00,C01B 33/00,B82Y 40/00
Дата приоритета16/06/2022
Дата подачи заявки16/06/2022
СостояниеОпубликовано - 13 июн. 2023

ID: 47066715