Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование
Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование
}
TY - JOUR
T1 - ПАРАМЕТРЫ СПЕКТРАЛЬНО-РАЗРЕШЕННОЙ ТЕРМОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ГЕКСАГОНАЛЬНОГО НИТРИДА БОРА
AU - Вохминцев, Александр Сергеевич
AU - Вайнштейн, Илья Александрович
AU - Минин, Максим Геннадьевич
PY - 2017
Y1 - 2017
N2 - Методами термостимулированной люминесценции (ТСЛ) со спектральным разрешением исследованы облученные ультрафиолетовым излучением с длиной волны 210 нм микропорошки гексагонального нитрида бора (h-BN). Определены значения параметров (энергия активации, эффективный частотный фактор и порядок кинетики) многоловушечной системы. Показано, что ТСЛ в полосах 380 и 425 нм обусловлена переходами электронов с уровней одно- (1B) и трехборных (3B) центров с энергией 0,7 и 1,2 эВ ниже дна зоны проводимости на дырочные уровни углерода (CN-центры) с энергией 1,4 эВ выше потолка валентной зоны соответственно. Обнаружено, что при термической активации электронных (1B-и 3B-центров) и дырочных (СN-центров) ловушек в механизмах ТСЛ доминируют процессы первого и второго порядка кинетики соответственно. Предложен механизм туннелирования заряда с глубоких электронных ловушек науровни 1B-и 3B-центров для образцов h-BN при нагревании.
AB - Методами термостимулированной люминесценции (ТСЛ) со спектральным разрешением исследованы облученные ультрафиолетовым излучением с длиной волны 210 нм микропорошки гексагонального нитрида бора (h-BN). Определены значения параметров (энергия активации, эффективный частотный фактор и порядок кинетики) многоловушечной системы. Показано, что ТСЛ в полосах 380 и 425 нм обусловлена переходами электронов с уровней одно- (1B) и трехборных (3B) центров с энергией 0,7 и 1,2 эВ ниже дна зоны проводимости на дырочные уровни углерода (CN-центры) с энергией 1,4 эВ выше потолка валентной зоны соответственно. Обнаружено, что при термической активации электронных (1B-и 3B-центров) и дырочных (СN-центров) ловушек в механизмах ТСЛ доминируют процессы первого и второго порядка кинетики соответственно. Предложен механизм туннелирования заряда с глубоких электронных ловушек науровни 1B-и 3B-центров для образцов h-BN при нагревании.
UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=32437079
U2 - 10.25205/2541-9447-2017-12-4-66-72
DO - 10.25205/2541-9447-2017-12-4-66-72
M3 - Статья
VL - 12
SP - 66
EP - 72
JO - Сибирский физический журнал
JF - Сибирский физический журнал
SN - 2541-9447
IS - 4
ER -
ID: 8433260