Изобретение относится к области изготовления изделий электронной техники, заготовкой для которых является слиток полупроводникового материала, требующий калибровки - получение цилиндрической поверхности. Технический результат заключается в повышении качества поверхностного слоя слитка, уменьшении нарушенного слоя поверхности после обработки, увеличении производительности процесса, исключении длительного чистового шлифования, замене лезвийной обработки. В способе калибровки слитка полупроводникового материала, включающем черновую и чистовую обработку, чистовую обработку выполняют шлифованием алмазными кругами зернистостью 160-250 мкм, а чистовую обработку выполняют точением с глубиной резания 250-350 мкм при подаче 500-700 мкм/об лезвийным алмазным инструментом, главная режущая кромка которого имеет радиус скругления 0,2-0,5 мкм и установлена параллельно оси. 2 ил.