Измерена проводимость латерального р-те-перехода в двумерных структурах HgTe с инвертированным спектром. Показано, что в квантовых ямах толщиной 8-10 нм клейновское туннелирование не очень эффективно и не мешает выделить вклад краевых состояний в проводимость. Разделение вкладов р-те-перехода и краевых состояний возможно при одновременном измерении сопротивлений области р-те-переходов на каналах с существенно различной шириной.