Standard

ФОРМИРОВАНИЕ НАНОЧАСТИЦ CdS В МАТРИЦЕ СИЛИКАТНОГО СТЕКЛА И ЕГО СПЕКТРАЛЬНЫЕ СВОЙСТВА. / Кузнецова, Ю.В.; Путырский, Д.С. ; Ремпель, Светлана Васильевна et al.
In: Физика и химия стекла, Vol. 42, No. 3, 2016, p. 351-359.

Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

Harvard

APA

Vancouver

Author

BibTeX

@article{982e21a1709b4b75816c5b2e8cb47824,
title = "ФОРМИРОВАНИЕ НАНОЧАСТИЦ CdS В МАТРИЦЕ СИЛИКАТНОГО СТЕКЛА И ЕГО СПЕКТРАЛЬНЫЕ СВОЙСТВА",
abstract = "В силикатном стекле синтезированы наночастицы CdS со средним диаметром ~ 2.7 нм. Методами спектрофотомерии и люминесценции в ультрафиолетовой и видимой областях оптического диапазона показано, что на первой стадии термообработки происходит образование центров полупроводниковой фазы, а на второй - их рост. Методами компьютерного моделирования получено изображение пространственного распределения наночастиц CdS в матрице стекла. Рассчитанная функция парного распределения показала, что среднее расстояние между наночастицами составляет ~ 15 нм, что является достаточным для их изоляции друг от друга в диэлектрической матрице и обеспечивает жесткое удерживание электронов внутри каждой наночастицы.",
author = "Ю.В. Кузнецова and Д.С. Путырский and Ремпель, {Светлана Васильевна} and Н.Г. Тюрнина and З.Г. Тюрнина and Ремпель, {Андрей Андреевич}",
year = "2016",
language = "Русский",
volume = "42",
pages = "351--359",
journal = "Физика и химия стекла",
issn = "0132-6651",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",
number = "3",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - ФОРМИРОВАНИЕ НАНОЧАСТИЦ CdS В МАТРИЦЕ СИЛИКАТНОГО СТЕКЛА И ЕГО СПЕКТРАЛЬНЫЕ СВОЙСТВА

AU - Кузнецова, Ю.В.

AU - Путырский, Д.С.

AU - Ремпель, Светлана Васильевна

AU - Тюрнина, Н.Г.

AU - Тюрнина, З.Г.

AU - Ремпель, Андрей Андреевич

PY - 2016

Y1 - 2016

N2 - В силикатном стекле синтезированы наночастицы CdS со средним диаметром ~ 2.7 нм. Методами спектрофотомерии и люминесценции в ультрафиолетовой и видимой областях оптического диапазона показано, что на первой стадии термообработки происходит образование центров полупроводниковой фазы, а на второй - их рост. Методами компьютерного моделирования получено изображение пространственного распределения наночастиц CdS в матрице стекла. Рассчитанная функция парного распределения показала, что среднее расстояние между наночастицами составляет ~ 15 нм, что является достаточным для их изоляции друг от друга в диэлектрической матрице и обеспечивает жесткое удерживание электронов внутри каждой наночастицы.

AB - В силикатном стекле синтезированы наночастицы CdS со средним диаметром ~ 2.7 нм. Методами спектрофотомерии и люминесценции в ультрафиолетовой и видимой областях оптического диапазона показано, что на первой стадии термообработки происходит образование центров полупроводниковой фазы, а на второй - их рост. Методами компьютерного моделирования получено изображение пространственного распределения наночастиц CdS в матрице стекла. Рассчитанная функция парного распределения показала, что среднее расстояние между наночастицами составляет ~ 15 нм, что является достаточным для их изоляции друг от друга в диэлектрической матрице и обеспечивает жесткое удерживание электронов внутри каждой наночастицы.

UR - http://elibrary.ru/item.asp?id=26189436

M3 - Статья

VL - 42

SP - 351

EP - 359

JO - Физика и химия стекла

JF - Физика и химия стекла

SN - 0132-6651

IS - 3

ER -

ID: 1280825