4f при 10 и 293 K. Обнаружены интенсивный быстрый компонент кинетики затухания люминесценции субнаносекундного диапазона, обусловленный высокой локальной плотностью электронных возбуждений и оже-процессами релаксации остовной дырки, модуляция спектра возбуждения люминесценции полосой поглощения “гигантского резонанса” 4d–4f-фотоионизации в области энергий 135–160 эВ. м разрешением кристалловолоконных образцов Li6GdB3O9:Ce при селективном возбуждении ультрамягким рентгеновским излучением в области остовных переходов 4d 4f при 10 и 293 K. Обнаружены интенсивный быстрый компонент кинетики затухания люминесценции субнаносекундного диапазона, обусловленный высокой локальной плотностью электронных возбуждений и оже-процессами релаксации остовной дырки, модуляция спектра возбуждения люминесценции полосой поглощения “гигантского резонанса” 4d–4f-фотоионизации в области энергий 135–160 эВ.