Выполнено трехмерное микромагнитное компьютерное моделирование переходных структур, отделяющих друг от друга участки C-образных и S-образных вихревых асимметричных доменных стенок в пленках с осью легкого намагничивания, параллельной поверхности. Рассмотрены пленки с одноосной и трехосной магнитной анизотропией (с ориентацией поверхности параллельно кристаллографической плоскости (100)). Получены новые типы переходных структур, в том числе содержащие блоховские точки.