Standard

ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА ПРИМЕСНЫХ ЦЕНТРОВ SM3+ ВО ФЛЮОРИТЕ. / Чернышев, Владимир Артурович; Никифоров, Анатолий Елеферьевич; Слепухин, Глеб Сергеевич.
In: Физика твердого тела, Vol. 54, No. 7, 2012, p. 1361-1365.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Harvard

Чернышев, ВА, Никифоров, АЕ & Слепухин, ГС 2012, 'ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА ПРИМЕСНЫХ ЦЕНТРОВ SM3+ ВО ФЛЮОРИТЕ', Физика твердого тела, vol. 54, no. 7, pp. 1361-1365.

APA

Чернышев, В. А., Никифоров, А. Е., & Слепухин, Г. С. (2012). ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА ПРИМЕСНЫХ ЦЕНТРОВ SM3+ ВО ФЛЮОРИТЕ. Физика твердого тела, 54(7), 1361-1365.

Vancouver

Чернышев ВА, Никифоров АЕ, Слепухин ГС. ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА ПРИМЕСНЫХ ЦЕНТРОВ SM3+ ВО ФЛЮОРИТЕ. Физика твердого тела. 2012;54(7):1361-1365.

Author

Чернышев, Владимир Артурович ; Никифоров, Анатолий Елеферьевич ; Слепухин, Глеб Сергеевич. / ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА ПРИМЕСНЫХ ЦЕНТРОВ SM3+ ВО ФЛЮОРИТЕ. In: Физика твердого тела. 2012 ; Vol. 54, No. 7. pp. 1361-1365.

BibTeX

@article{75c2e90a72ce42d3a9c531c6a5dbac22,
title = "ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА ПРИМЕСНЫХ ЦЕНТРОВ SM3+ ВО ФЛЮОРИТЕ",
abstract = "В оболочечной модели рассчитана релаксация кристаллической решетки в кубическом и тетрагональном центрах Sm3+ в CaF2. Координаты ионов, полученные с учетом релаксации, использованы для расчета кристаллического поля и электронной структуры центров.",
author = "Чернышев, {Владимир Артурович} and Никифоров, {Анатолий Елеферьевич} and Слепухин, {Глеб Сергеевич}",
year = "2012",
language = "Русский",
volume = "54",
pages = "1361--1365",
journal = "Физика твердого тела",
issn = "0367-3294",
publisher = "MEZHDUNARODNAYA KNIGA",
number = "7",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА ПРИМЕСНЫХ ЦЕНТРОВ SM3+ ВО ФЛЮОРИТЕ

AU - Чернышев, Владимир Артурович

AU - Никифоров, Анатолий Елеферьевич

AU - Слепухин, Глеб Сергеевич

PY - 2012

Y1 - 2012

N2 - В оболочечной модели рассчитана релаксация кристаллической решетки в кубическом и тетрагональном центрах Sm3+ в CaF2. Координаты ионов, полученные с учетом релаксации, использованы для расчета кристаллического поля и электронной структуры центров.

AB - В оболочечной модели рассчитана релаксация кристаллической решетки в кубическом и тетрагональном центрах Sm3+ в CaF2. Координаты ионов, полученные с учетом релаксации, использованы для расчета кристаллического поля и электронной структуры центров.

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=20322519

M3 - Статья

VL - 54

SP - 1361

EP - 1365

JO - Физика твердого тела

JF - Физика твердого тела

SN - 0367-3294

IS - 7

ER -

ID: 9220741